02-Integrated_Circuit
I 二值逻辑与逻辑门
I.1 二值逻辑
Binary variables take one of two values.
e.g. True/False, On/Off, Yes/No, 1/0...
与二值运算有关的基本逻辑运算有三种:AND、OR、NOT(与或非):
二进制逻辑运算是非常像二进制二则运算(加&乘)的,观察下面的真值表不难得出:
I.2 逻辑门
逻辑门分 与门
或门
非门
,图形如下:(其中非门亦称 反相器
)
在电路中,电压和电流都可以作为信号传递信息
在电压型逻辑电路中,两个不重叠的电压范围分别用于表示 logic 1
和 logic 0
;
其间的电压范围称为过渡范围(transition region)
I.2.1 门延时(gate delay)
each gate has another very important property called gate delay (
), the length of time it takes for an input change to result in the corre- sponding output change.
下方是有无
-
PHL (Propagation High to Low):表示信号从高电平(逻辑“1”)转换到低电平(逻辑“0”)所需的时间。这是信号下降沿的延迟时间,也称为下降时间(fall time)。
-
PLH (Propagation Low to High):表示信号从低电平(逻辑“0”)转换到高电平(逻辑“1”)所需的时间。这是信号上升沿的延迟时间,也称为上升时间(rise time)。
I.2.2 常见电器元件
下面是一张比较完整的电器元件图标以及它们的真值表:
大部分我们将在后面进一步学习
- 值得注意的是,除反相器外,其他元件都可以有多个输入;
- 反相器输出端的圆圈名为“否定指示器(negation indicator)”,俗称“泡泡”;有这个“泡泡”多半就是取反;
- 与非门&或非门比与门&或门使用更多;
- 异或&异或非在图中有所体现。
I.2.2.1 通用门
A gate type that alone can be used to implement all possible Boolean func- tions is called a universal gate and is said to be “functionally complete.”
我们下面说明与非门(NAND)是一个通用门,也就是说明 NAND 可以表示 AND、OR、NOT:
- 一个一输入 NAND 可以充当 NOT(当然,这么干是不合理的,直接换为 NOT 得了,如下图)
- 在 NAND 输出后面加上一个 NOT 可以形成 AND(反两次,合理)
- 在 NAND 每个输入前面加上一个 NOT 可以形成 OR(根据 DeMorgan’s theorem,2.2 细讲)
II 布尔代数
The Boolean algebra we present is an algebra dealing with binary variables and logic operations.
A Boolean function can be described by a Boolean equation consisting of a binary variable identifying the function fol- lowed by an equals sign and a Boolean expression
书中引入了一个使用布尔函数的典型案例 ,得出一个布尔函数,其真值表如下:
电路图如上,其等效 Verilog & VHDL 模型如下
II.1 布尔代数基本恒等式
下面的 X
和 Y
都是为 0/1 的值
对于 15 项,不难发现
(不难发现左右公式是对偶的)
precedence: parentheses(括号) > NOT > AND > OR
The dual of an algebraic expression is obtained by interchanging + and · and interchanging 0’s and 1’s.
上表最后两个公式是德摩根定理(DeMorgan’s theorem):
该定理可推到多变量依旧成立,此处省略
Shannon's Theorem:
II.2 代数运算
Boolean algebra is a useful tool for simplifying digital circuits.
看看下面这一变形:
分别根据第一个式子和最后的式子画出电路图
上下电路图是等效的,但下方的显然简洁了许多
When a Boolean equation is implemented with logic gates, each term requires a gate, and each variable within the term designates an input to the gate. We define a literal (字符) as a single variable within a term that may or may not be complemented.
For instance, the expression for the function in Figure 2-8(a) has three terms and eight literals; the one in Figure 2-8(b) has two terms and four literals.
通俗来说,term
可以等同理解为多项式的项数而 literal
则是变量个数(包括重复的),我们简化电路的思路往往是减少 term
literal
,两个都减少自然是最好的。借助于 DeMorgan’s theorem,下面是一些简化的例子:
II.2.1 对偶式
The dual of an expression(对偶式) is obtained by changing AND to OR and OR to AND throughout (and 1 s to 0 s and 0 s to 1 s if they appear in the expression)
The duality principle of Boolean algebra(布尔代数对偶原则) states that a Boolean equation remains valid if we take the dual of the expressions on both sides of the equals sign.
4 ~ 6 式正是 1 ~ 3 式的对偶式,1~3 容易得证,4~6 自然也就成立了
II.2.1.1 一致率定理
来看下面这个化简
可以看到"
下面是这个式子一个简单应用:
其对偶式子则为
II.3 反函数
我们常使用
注意,对偶式不将变量取反,或者说我们可以先获得 F 对偶式,然后各变量取反
下面是两个典型的例子:
II.4 卡诺图
II.4.1 范式
II.4.2 (质)蕴涵项
参见笔记
III 标准形式
III.1 硬件描述语言(HDL)
- HDLs resemble programming languages, but are speciically oriented to describing hardware structures and behavior.
- An obvious use for an HDL is to provide an alternative to schematics.
- When a language is used in this fash- ion, it is referred to as a structural description, in which the language describes an interconnection of components. Such a structural description, referred to as a netlist, can be used as input to logic simulation just as a schematic is used.
III.1.1 Verilog
下面是 verilog 原型,其中 ()
内第一个参数为输出,其余为输入,除反相器(即非门外)可以有多个输入
verilog 还有逻辑运算符,与 C 是较为相似的
III.1.2 VHDL
VHDL 没有原型,但有逻辑运算符
IV Transistors
PPT 上直接给专业名词,看不懂一点,用 GPT 解释了一下下:
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Integrated Circuit (IC):集成电路,是一种将大量的微小电子元件(如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)集成在单个半导体芯片上的技术。集成电路广泛应用于各种电子设备中,如计算机、手机、家用电器等。
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Transistor-Transistor Logic (TTL):晶体管-晶体管逻辑,是一种数字电路设计中使用的逻辑家族,它使用双极型晶体管(BJT)来实现逻辑门。TTL 电路曾经是计算机和许多其他电子设备中的标准逻辑家族,但现在很大程度上被 CMOS 技术所取代。
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Bipolar Junction Transistor (BJT):双极型晶体管,是一种三端电子器件,它有两种类型:NPN 型和 PNP 型。BJT 使用两种载流子(电子和空穴)进行导电,因此得名“双极型”。BJT 广泛应用于放大和开关电路中。
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Complementary Metal-Oxide Semiconductor (CMOS):互补金属-氧化物半导体,是一种使用 PMOS 和 NMOS 晶体管来构建逻辑门和其它电路的半导体技术。CMOS 技术因其低功耗和高噪声容限而广泛应用于集成电路设计中。
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Field Effect Transistor (FET):场效应晶体管,是一种三端电子器件,其中栅极电压控制源极和漏极之间的电流流动。FET 有多种类型,包括 JFET(结型场效应晶体管)和 MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)。
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CMOS Transistors:CMOS晶体管,是指在一个集成电路中同时使用PMOS和NMOS晶体管的晶体管。在CMOS技术中,PMOS和NMOS晶体管以互补的方式使用,以实现低功耗和高性能的数字逻辑电路。
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Gate, source, drain:这些是与场效应晶体管(FET)相关的术语。栅极(Gate)是控制晶体管导通和截止的电极。源极(Source)是电流进入晶体管的地方。漏极(Drain)是电流离开晶体管的地方。
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NMOS transistor / PMOS transistor:
- NMOS 晶体管(N 型金属-氧化物-半导体场效应晶体管):在 NMOS 晶体管中,N 型通道被创建在 P 型衬底上,电流主要由电子携带。
- PMOS 晶体管(P 型金属-氧化物-半导体场效应晶体管):在 PMOS 晶体管中,P 型通道被创建在 N 型衬底上,电流主要由空穴携带。
- 通过控制 Gate 来控制 source 和 drain 之间的电流,可以用来完成逻辑与门和或门
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VDD:代表电源的正电压供应。VDD 中的 “DD” 通常被解释为 “drain and source”,意味着这个电压被施加到晶体管的漏极和源极。在数字电路中,VDD 通常是指逻辑高电平或正电源电压。VDD 的具体电压值取决于电路的设计和电源的要求,常见的值有5V、3.3V、1.8V 等。
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GND:代表地或零电压参考点。GND 是电路中所有电压测量的参考点,也是电路中返回电流的路径。在电子设备中,GND 是电源的负极端,所有非地信号都相对于 GND 来测量。
IV.1 Buffer Gate
相当于取非两次,利用电路延迟达到将数据延迟的目的。
IV.2 Transmission Gate
让