02-Integrated_Circuit

I 二值逻辑与逻辑门

I.1 二值逻辑

Definition

Binary variables take one of two values.
e.g. True/False, On/Off, Yes/No, 1/0...

与二值运算有关的基本逻辑运算有三种:AND、OR、NOT(与或非):

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二进制逻辑运算是非常像二进制二则运算(加&乘)的,观察下面的真值表不难得出:

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I.2 逻辑门

逻辑门分 与门 或门 非门,图形如下:(其中非门亦称 反相器

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在电路中,电压和电流都可以作为信号传递信息

在电压型逻辑电路中,两个不重叠的电压范围分别用于表示 logic 1logic 0

其间的电压范围称为过渡范围(transition region)

I.2.1 门延时(gate delay)

each gate has another very important property called gate delay (tG), the length of time it takes for an input change to result in the corre- sponding output change.

下方是有无 tG 的不同的定时图:

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Note

  1. PHL (Propagation High to Low):表示信号从高电平(逻辑“1”)转换到低电平(逻辑“0”)所需的时间。这是信号下降沿的延迟时间,也称为下降时间(fall time)。

  2. PLH (Propagation Low to High):表示信号从低电平(逻辑“0”)转换到高电平(逻辑“1”)所需的时间。这是信号上升沿的延迟时间,也称为上升时间(rise time)。

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I.2.2 常见电器元件

下面是一张比较完整的电器元件图标以及它们的真值表:

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大部分我们将在后面进一步学习

I.2.2.1 通用门
Definition

A gate type that alone can be used to implement all possible Boolean func- tions is called a universal gate and is said to be “functionally complete.”

我们下面说明与非门(NAND)是一个通用门,也就是说明 NAND 可以表示 AND、OR、NOT:

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II 布尔代数

书中引入了一个使用布尔函数的典型案例 ,得出一个布尔函数,其真值表如下:

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电路图如上,其等效 Verilog & VHDL 模型如下

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II.1 布尔代数基本恒等式

下面的 XY 都是为 0/1 的值

对于 15 项,不难发现 (X+Y)(X+Z)=XX+X(Y+Z)+YZ=X(1+YZ)+YZ=X+YZ

(不难发现左右公式是对偶的)

precedence: parentheses(括号) > NOT > AND > OR

The dual of an algebraic expression is obtained by interchanging + and · and interchanging 0’s and 1’s.

上表最后两个公式是德摩根定理(DeMorgan’s theorem)

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该定理可推到多变量依旧成立,此处省略

Note

Shannon's Theorem

f(x1,x2,,xn)=x1f(1,x2,,xn)+x1f(0,x2,,xn)=(x1+f(1,x2,,xn))(x1+f(0,x2,,xn))

II.2 代数运算

Boolean algebra is a useful tool for simplifying digital circuits.

看看下面这一变形:

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分别根据第一个式子和最后的式子画出电路图

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上下电路图是等效的,但下方的显然简洁了许多

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When a Boolean equation is implemented with logic gates, each term requires a gate, and each variable within the term designates an input to the gate. We define a literal (字符) as a single variable within a term that may or may not be complemented.
For instance, the expression for the function in Figure 2-8(a) has three terms and eight literals; the one in Figure 2-8(b) has two terms and four literals.

通俗来说,term 可以等同理解为多项式的项数literal 则是变量个数(包括重复的),我们简化电路的思路往往是减少 term literal ,两个都减少自然是最好的。借助于 DeMorgan’s theorem,下面是一些简化的例子:

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II.2.1 对偶式

The dual of an expression(对偶式) is obtained by changing AND to OR and OR to AND throughout (and 1 s to 0 s and 0 s to 1 s if they appear in the expression)

The duality principle of Boolean algebra(布尔代数对偶原则) states that a Boolean equation remains valid if we take the dual of the expressions on both sides of the equals sign.

4 ~ 6 式正是 1 ~ 3 式的对偶式,1~3 容易得证,4~6 自然也就成立了

II.2.1.1 一致率定理

来看下面这个化简 XY+XZ+YZ=XY+XZ 证明过程如下:

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可以看到"YZ is redundant and can be eliminated"

下面是这个式子一个简单应用:

(A+B)(A+C)=AA+AB+AC+BC=AB+AC

其对偶式子则为 (X+Y)(X+Z)(Y+Z)=(X+Y)(X+Z)

II.3 反函数

我们常使用 F 来表示函数 F 的反函数,它的输出与 F 是相反的;对函数取反可以相当于对运算、变量、常量都取反来获得

注意,对偶式不将变量取反,或者说我们可以先获得 F 对偶式,然后各变量取反

下面是两个典型的例子:

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II.4 卡诺图

II.4.1 范式

II.4.2 (质)蕴涵项

参见笔记

III 标准形式

III.1 硬件描述语言(HDL)

III.1.1 Verilog

下面是 verilog 原型,其中 () 内第一个参数为输出,其余为输入,除反相器(即非门外)可以有多个输入

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verilog 还有逻辑运算符,与 C 是较为相似的

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III.1.2 VHDL

VHDL 没有原型,但有逻辑运算符

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IV Transistors

Info

PPT 上直接给专业名词,看不懂一点,用 GPT 解释了一下下:

  1. Integrated Circuit (IC):集成电路,是一种将大量的微小电子元件(如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)集成在单个半导体芯片上的技术。集成电路广泛应用于各种电子设备中,如计算机、手机、家用电器等。

  2. Transistor-Transistor Logic (TTL):晶体管-晶体管逻辑,是一种数字电路设计中使用的逻辑家族,它使用双极型晶体管(BJT)来实现逻辑门。TTL 电路曾经是计算机和许多其他电子设备中的标准逻辑家族,但现在很大程度上被 CMOS 技术所取代。

  3. Bipolar Junction Transistor (BJT):双极型晶体管,是一种三端电子器件,它有两种类型:NPN 型和 PNP 型。BJT 使用两种载流子(电子和空穴)进行导电,因此得名“双极型”。BJT 广泛应用于放大和开关电路中。

  4. Complementary Metal-Oxide Semiconductor (CMOS):互补金属-氧化物半导体,是一种使用 PMOS 和 NMOS 晶体管来构建逻辑门和其它电路的半导体技术。CMOS 技术因其低功耗和高噪声容限而广泛应用于集成电路设计中。

  5. Field Effect Transistor (FET):场效应晶体管,是一种三端电子器件,其中栅极电压控制源极和漏极之间的电流流动。FET 有多种类型,包括 JFET(结型场效应晶体管)和 MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)。

  6. CMOS Transistors:CMOS晶体管,是指在一个集成电路中同时使用PMOS和NMOS晶体管的晶体管。在CMOS技术中,PMOS和NMOS晶体管以互补的方式使用,以实现低功耗和高性能的数字逻辑电路。

  7. Gate, source, drain:这些是与场效应晶体管(FET)相关的术语。栅极(Gate)是控制晶体管导通和截止的电极。源极(Source)是电流进入晶体管的地方。漏极(Drain)是电流离开晶体管的地方。

  8. NMOS transistor / PMOS transistor

    • NMOS 晶体管(N 型金属-氧化物-半导体场效应晶体管):在 NMOS 晶体管中,N 型通道被创建在 P 型衬底上,电流主要由电子携带。
    • PMOS 晶体管(P 型金属-氧化物-半导体场效应晶体管):在 PMOS 晶体管中,P 型通道被创建在 N 型衬底上,电流主要由空穴携带。
    • 通过控制 Gate 来控制 source 和 drain 之间的电流,可以用来完成逻辑与门和或门
  9. VDD:代表电源的正电压供应。VDD 中的 “DD” 通常被解释为 “drain and source”,意味着这个电压被施加到晶体管的漏极和源极。在数字电路中,VDD 通常是指逻辑高电平或正电源电压。VDD 的具体电压值取决于电路的设计和电源的要求,常见的值有5V、3.3V、1.8V 等。

  10. GND:代表地或零电压参考点。GND 是电路中所有电压测量的参考点,也是电路中返回电流的路径。在电子设备中,GND 是电源的负极端,所有非地信号都相对于 GND 来测量。

IV.1 Buffer Gate

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相当于取非两次,利用电路延迟达到将数据延迟的目的。

IV.2 Transmission Gate

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AA 分别对应 PMOS 和 NMOS 即可保证两者同时开放,IN == OUT,同时利用电平周期达到延迟的效果